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电子元器件详细资料 » IC[27031] » SI3477DV-T1-GE3
型号:SI3477DV-T1-GE3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)描述:MOSFET P-CH D-S 12V 6-TSOP

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET P-CH D-S 12V 6-TSOP
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)12V
电流_连续漏极(Id)0a025000C8A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C17.5 毫欧 @ 9A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大2221V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs90nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds2600pF @ 6V
功率_最大4.2W
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
供应商设备封装6-TSOP
包装带卷 (TR)

供应商

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深圳市瑞智芯科技有限公司李先生0755-83089975
北京元坤国际科技有限公司何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
深圳市能元时代电子有限公司甘先生0755-84502810
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SI3477DV-T1-GE3相关型号

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